赤外光弾性を応用した
特殊ウェハ残留ひずみ計測機
■ ウェハ等の結晶薄板の応力ひずみによる光学的非等方性を複屈折ベクトルとして計測します
■ ひずみの広がりにより転移等の結晶欠陥の存在を推定します
■ 低コヒーレンスなSLDを使用し不要な干渉縞発生を抑止しています
■ 計測はpoint-to-pointで全面をスキャンするので歪み量定量計測には相応の時間を要します
項目 |
仕様 |
対象材料 |
InP, InGaAs, GaAs, LiNbO3, Si 最大6インチ |
供給方法 |
手作業にてホルダに供給 |
プローブ光 |
1550または1650nm SLD |
計測方法 |
赤外光弾性法による |
スキャン方式 |
5軸制御高速スキャン |
計測時間 |
6インチウェハにて約2時間 |
寸法・重量 |
800(W)x800(D)x1,755(H)mm・100kg |
電源 |
AC100V・1000VA |
雰囲気 |
気温15~25℃・湿度20~60% |
光干渉位相シフト法を応用した
アモルファス膜光誘起体積変化
nmオーダ表面高さその場計測機
■ 短波長レーザ光干渉と位相シフト法により、nmオーダの表面高さ計測を行います